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美股AI行情正从空头回补驱动转向散户FOMO接力，野村研报指出该阶段接近尾声；同期韩股KOSPI暴涨，SK Hynix与三星电子领涨，海外资金集中加仓DRAM ETF，显示AI资本开支逻辑向韩国半导体板块传导，首尔成为新震中。
SK海力士市值突破1000万亿韩元，成为韩国最值钱企业，但其第三代继承格局打破财阀传统：长女崔允贞主导生物制药与AI医疗战略，次女崔敏贞深耕半导体地缘政治与美政策网络，长子崔仁根选择麦肯锡外部历练并保持沉默。家族继承已从股权、长子、婚脉的旧剧本，转向以专业能力、全球视野和时代命题为核心的合法性重构。
AI算力爆发导致全球存储芯片供需严重失衡，DDR5等内存价格暴涨超600%，70%先进产能被AI基础设施抢占，传统存储周期被打破，行业正经历由AI驱动的结构性权力重构与定价权转移。
SK海力士凭借长期押注高带宽内存（HBM）技术，在AI算力爆发背景下实现逆袭，2025年营业利润首超三星，人均奖金达数百万人民币，从韩国半导体‘老二’跃升为全球HBM龙头，其成功源于破产边缘的孤注一掷、财阀体制支持的长期战略定力及对技术路线的专注坚守。
全球存储芯片板块因AI需求驱动大幅上涨，美光、闪迪、SK海力士、三星及A股存储概念股集体飙升；同期美伊局势紧张推高油价，美股承压，韩股创历史新高；比特币突破8.2万美元但面临7.4万–7.5万美元回踩压力，多空分歧加剧。
SK海力士因AI驱动存储需求激增，韩国员工年终奖预期飙升至数百万元人民币，但中国员工奖金不足韩国人的5%，存在显著地域薪酬差异；文章揭示中韩员工在奖金结构、薪资水平、股权激励及晋升机会等方面的不平等，并指出其在中国无锡、大连、重庆等地工厂的运营现状与行业影响。
SK海力士凭借逆周期扩张、专注存储战略及AI驱动的HBM高需求，2025—2026年实现利润超越三星、营业利润率登顶全球，市值飙升9倍；但其高度依赖英伟达与HBM赛道、业务结构单一、面临地缘风险与国产替代压力，高光背后隐含可持续性危机。
2025–2026年全球存储芯片行业爆发，美光、SK海力士、三星等头部厂商因AI驱动的HBM及DRAM需求激增、产能高度集中且主动克制扩产，迎来超级景气周期，股价与利润率大幅攀升，带动美股、韩股及A股存储概念股集体飙升，市场陷入狂热，但隐含周期反转与估值透支风险。
AI爆发推动高带宽内存（HBM）及传统DRAM、NAND闪存需求激增，导致全球存储芯片严重短缺、价格暴涨近100%，三星、SK海力士、美光净利润飙升，存储芯片从周期性配件升级为AI基础设施战略资源，供应链正转向长期绑定与共同投资模式。
韩国年轻父母利用免税政策为新生儿开设证券账户，大量买入半导体龙头股及杠杆ETF，推动未成年人股东激增；背后驱动力是AI算力爆发带动SK海力士、三星电子等HBM与NAND芯片厂商股价飙升，叠加全球资本转向‘HALO’实物资产（高端制造、供应链安全）的结构性迁移。
三星电子芯片部门工会发起史上最大规模集会，要求将营业利润15%作为奖金发放，人均约40万美元，遭管理层10%方案拒绝后宣布5月21日起罢工18天；对比SK海力士人均6.7亿韩元奖金及无上限政策，薪酬落差加剧人才流失与行业人才争夺战，凸显AI芯片超级周期下劳资分配矛盾。
Anthropic二级市场估值破万亿美元超越OpenAI，OpenAI酝酿重大发布，Google披露75%新代码由AI生成，腾讯阿里洽谈投资DeepSeek，特斯拉大幅增加AI与机器人资本开支，SK海力士因AI芯片需求营业利润暴增404%，AI正深度重构软件开发、硬件制造与生产力基础设施。
全球DRAM内存持续严重短缺，预计将持续至2027年甚至2030年；主要厂商产能优先供给高利润的AI用HBM，导致消费电子所需通用DRAM供给被大幅挤压，引发终端产品涨价与配置缩水，普通消费者成为最终承担者。
韩国央行报告分析AI驱动的半导体超级周期可持续性，指出本轮存储芯片供需失衡程度和持续时间均超历史三轮，明确扩张至少延续至2026年上半年；2027年起五大变量——AI投资盈利性验证、大厂融资可持续性、模型效率进展、存储厂扩产节奏及中国厂商追赶速度——将共同决定周期拐点，尤其警示融资结构脆弱性和表外杠杆风险。
文章深度剖析AI驱动下全球存储芯片行业正经历四十年来最严重的供需失衡，HBM、DRAM、NAND全线紧缺，价格暴涨，产能排到2027年；分析其背后的技术瓶颈（如HBM-DRAM产能排挤）、扩产制约（洁净室、设备、制程迁移）及需求质变（从训练转向推理与AI Agent带来的多层级存储刚性需求），并探讨行业是否正从周期性走向结构性增长。
